차세대 메모리는 미래 경쟁력 확보를 위한 필수 조건

메모리 반도체는 갈수록 미세화되고 있고, System의 요구 성능은 높아짐에 따라 궁극적으로 기존 메모리(DRAM, NAND/NOR Flash, SRAM 등)는 물리적 한계 및 특성 한계에 도달할 것이다. 그러나, 산업 내 장비, 소자, 공정 업체의 지속적인 연구개발로 그 효용 기간을 연장해 나가고 있어 차세대 메모리가 단기간 내 기존 메모리를 대체하지는 못할 것으로 보인다. 다만, PRAM등은 향후 2년 내 휴대폰 등의 Embedded향 시장에서 NOR Flash를 대체해 나갈 가능성이 높다. 그 외 차세대 메모리가 단기간 내 본격 적인 시장형성이 어려워 보인다 하더라도 기초 연구를 통해 미래 경쟁력을 확보해 나가야 할 것으로 판단된다. 이런 점에서 경기침체에도 불구하고 연구개발에 꾸준하게 투자해 온 국내 업체들이 미래 경쟁력 확보에 유리한 고지를 선점한 것으로 보인다.

현재 PRAM, MRAM, STT-RAM 등 차세대 메모리는 매우 초기 단계이므로 각 업체들은 제휴 및 공동연구를 통한 다양한 기반 기술 확보에 주력해야 한다. 삼성전자와 하이닉스가 STT-RAM을 공동연구 개발하고 있고, 삼성전자와 뉴모닉스가 PRAM에 대한 기술협력 계약을 하였으며, 하이닉스는 PRAM 원천기술 보유기업인 Ovonyx, Grandis 등과 PRAM 개발에 협력하기로 하는 등 기반 기술 확보를 위한 다양한 교류가 진행 중이다. 일본의 Toshiba도 NEC, Fujitsu 등과 STT-RAM을 공동 개발하는 등 각 업체별로 기반 기술 확보에 박차를 가하고 있다.

기존 메모리 대체는 필연적 / 양산성과 신뢰성 검증을 위한 시간 필요

기존 메모리의 경우 고집적화에 따른 회로간 간섭 심화 및 불량 발생 문제가 점차 대두되고 있어, 기존 메모리의 단점들을 극복하고 각각의 장점을 하나로 융합한 차세대 메모리는 결국 기존 메모리를 대체할 것으로 전망된다. 그러나, 차세대 메모리의 경우도 적용 물질의 변경에 따라 증착 및 식각 장비에 대한 연구도 선행되어야 하는 등 산적한 문제가 많은 것으로 판단된다. 개발된 신규 장비를 적용하여 양산성과 신뢰성을 오랜 기간 검증할 필요가 있다. PRAM을 제외한 다른 차세대 메모리의 형성 시기를 2012년 이후로 판단하는 이유이다.

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